Internationale Fachwelt diskutiert das Potenzial von Aluminiumnitrid am IKZ
Fellowship-Auszeichnung für Prof. Dr. Andreas Waag
Welche Perspektiven bietet Aluminiumnitrid für die Leistungselektronik und Photonik der Zukunft? Dieser Frage widmete sich das IKZ-Symposium am 14. Oktober 2026 in Berlin-Adlershof. Unter dem Titel „Aluminum Nitride – An Emerging Semiconductor for Power Electronics and Deep UV Photonics“ brachte das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) international renommierte Forschende sowie Fachleute aus der Industrie zusammen.
Im Mittelpunkt standen neueste Forschungsergebnisse, technologische Herausforderungen und die Perspektiven von Aluminiumnitrid für zukünftige Anwendungen. Ein besonderer Höhepunkt war die Verleihung des mit 10.000 Euro dotierten IKZ International Fellowship 2026 an Prof. Dr. Andreas Waag von der Technischen Universität Braunschweig für seine herausragenden Beiträge zur Nitrid-Halbleitertechnologie.
Internationale Expertise aus Forschung und Industrie
Aluminiumnitrid (AlN) gilt als vielversprechendes Halbleitermaterial für leistungsfähige elektronische Bauelemente und Lichtquellen im tiefen ultravioletten Spektralbereich. Die Entwicklung entsprechender Technologien stellt hohe Anforderungen an die Materialqualität, die Herstellung und die Integration in elektronische und photonische Bauelemente.
Das Symposium bot ein hochkarätig besetztes Forum, um aktuelle wissenschaftliche Fortschritte und noch bestehende Herausforderungen aus unterschiedlichen Perspektiven zu diskutieren. Forschende führender europäischer Universitäten und Forschungseinrichtungen sowie Vertreter der Halbleiterindustrie tauschten sich über neue Entwicklungen aus und beleuchteten die Voraussetzungen für deren technologische Umsetzung.
Im Schwerpunkt Leistungs- und Hochfrequenzelektronik präsentierten Thomas Straubinger (IKZ), Mervi Paulasto-Kröckel (Aalto University), Rüdiger Quay (Fraunhofer IAF), Oliver Hilt (Ferdinand-Braun-Institut) und Martin Kuball (University of Bristol) aktuelle Forschungsergebnisse zu AlN und weiteren Halbleitermaterialien mit ultrabreiter Bandlücke. Die Beiträge verdeutlichten sowohl das Potenzial dieser Materialien für zukünftige elektronische Bauelemente als auch die wissenschaftlichen und technologischen Herausforderungen auf dem Weg zu ihrer Anwendung.
Der zweite Schwerpunkt widmete sich der Photonik und Optoelektronik. Martin Strassburg (ams OSRAM), Åsa Haglund (Chalmers University of Technology), Michael Kneissl (TU Berlin / Ferdinand-Braun-Institut) und Bernd Witzigmann (FAU Erlangen-Nürnberg) stellten Fortschritte bei der Entwicklung von UV-Lasern, UV-C-LEDs und weiteren optoelektronischen Bauelementen vor.
IKZ International Fellowship 2026 für Andreas Waag
Ein Highlight des Symposiums war die Verleihung des IKZ International Fellowship 2026 an Prof. Dr. Andreas Waag. Mit der mit 10.000 Euro dotierten Auszeichnung würdigte das IKZ einen international anerkannten Wissenschaftler, der die Forschung an Nitrid-Halbleitern seit vielen Jahren maßgeblich mitgestaltet. In seinem Fellowship-Vortrag „Nitride Semiconductors and Their Future Role in Quantum Technology, Photonics and Microelectronics“ spannte Andreas Waag den Bogen von aktuellen Entwicklungen in der Nitrid-Halbleiterforschung bis hin zu deren zukünftiger Bedeutung für Quantentechnologien, Photonik und Mikroelektronik. Sein Vortrag ergänzte die wissenschaftlichen Schwerpunkte des Symposiums um eine übergreifende Perspektive auf das Potenzial dieser Materialklasse für zukünftige Schlüsseltechnologien.
Nitrid-Technologie als Schlüssel für technologische Souveränität
Über die wissenschaftlichen und technologischen Fragestellungen hinaus richtete das Symposium den Blick auch auf die strategische Bedeutung der Nitrid-Technologie für Deutschland und Europa. Den Abschluss des wissenschaftlichen Programms bildete eine Diskussionsrunde zur technologischen Souveränität. Nach einem Impulsvortrag von Dirk Ziemann (Bundesministerium für Forschung, Technologie und Raumfahrt, BMFTR) zur Hightech-Agenda Deutschland moderierte Andreas Waag den Austausch über die Bedeutung der Nitrid-Technologie für die europäische Halbleiterforschung und -industrie. Im Mittelpunkt stand insbesondere die Frage, wie wissenschaftliche Erkenntnisse in technologische Innovationen und industrielle Anwendungen überführt werden können. Die Diskussion verdeutlichte, dass neben wissenschaftlicher Exzellenz auch leistungsfähige Forschungsinfrastrukturen und eine enge Vernetzung von Wissenschaft, Industrie und Politik entscheidend sind, um das Potenzial neuer Halbleitermaterialien langfristig zu erschließen.
Über Prof. Dr. Andreas Waag
Andreas Waag ist seit 2003 Professor für Halbleitertechnik an der Technischen Universität Braunschweig. Seine Forschung konzentriert sich insbesondere auf die Physik und Technologie von Nitrid-Halbleitern sowie deren Einsatz in photonischen und optoelektronischen Bauelementen. Weitere Schwerpunkte sind Mikro-LEDs, die Kontrolle von Licht auf der Nanoskala sowie Quanten- und Nanometrologie.
An der TU Braunschweig engagiert sich Waag darüber hinaus in interdisziplinären Forschungsverbünden an der Schnittstelle von Halbleiter-, Quanten- und Nanotechnologie. Im Jahr 2026 übergab er die Sprecherschaft für die TU Braunschweig im Exzellenzcluster QuantumFrontiers an Prof. Dr. Stefanie Kroker. Seine wissenschaftliche Expertise bringt er weiterhin in strategische Forschungsinitiativen ein, darunter das Nitride Technology Center.
Kontakt:
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ)
Carsten Hartmann
Gruppenleiter Aluminiumnitrid Prototyping
Anwendungswissenschaften
+49 30 246499-602
carsten.hartmann(at)ikz-berlin.de
Stefanie Grüber
Presse- und Öffentlichkeitsarbeit
+49 30 246499-126
stefanie.grueber(at)ikz-berlin.de
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IKZ-Pressemitteilung vom 20.10.2026