Sie wird endlich wahr: die Zusammenarbeit rund um Halbleiter mit breiter Bandlücke
"WideBaSe" Konsortialvertrag paraphiert
Am 31.08.2010 haben die Partner des regionalen Wachstumskerns Berlin WideBaSe den Konsortialvertrag unterzeichnet und damit ihre Zusammenarbeit rund um Halbleiter mit breiter Bandlücke besiegelt. Das Kick-Off-Meeting der 13 Berliner Partner aus Forschung und Entwicklung fand in Adlershof bei SENTECH Instruments statt. Der Aufbau der regionalen Technologieplattform wird für drei Jahre vom Bundesministerium für Bildung und Forschung mit insgesamt 6,5 Mio. Euro gefördert. Berlin WideBaSe (Wide-Bandgap- Semiconductor) bündelt regionale technologische und wirtschaftliche Kompetenzen.
In einem Radius von nur 25 km versammeln die Bündnispartner ein umfassendes Know-how in unterschiedlichen Anwendungsfeldern entlang von Wertschöpfungsketten. Wide-Bandgap-Semiconductors sind Verbindungshalbleiter wie Galliumnitrid (GaN), Aluminiumnitrid (AIN), Zinkoxid (ZnO) oder Siliziumkarbid (SiC). Aufgrund ihrer großen Bandlücke besitzen sie spezifische elektronische und optoelektronische Eigenschaften wie hohe Ladungsträgerbeweglichkeit, hohe Durchbruchsfeldstärken, eine exzellente Wärmeleitfähigkeit sowie Funktionsfähigkeit auch bei hohen Temperaturen.
Durch diese einzigartigen Materialeigenschaften können extrem kompakte und damit sehr schnelle Leistungsbauelemente geschaffen werden, die die Voraussetzung für hochinnovative Hochfrequenz- und Mikrowellensysteme bilden. Partner des Verbunds sind Advanced Microwave Technologies GmbH, BeMiTec AG, CrysTec GmbH, eagleyard photonics GmbH, Jenoptik AG, LayTec GmbH, OSA Opto Light GmbH, OSRAM GmbH, RTG Mikroanalyse GmbH, SENTECH Instruments GmbH, das Ferdinand-Braun-Institut - Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik, das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung sowie die Technische Universität Berlin.
Kontakt:
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik
Nicolas Hübener
Gustav-Kirchoff-Straße 4
12489 Berlin
nicolas.huebener(at)fbh-berlin.de